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DVD9铝层的溅镀工艺探讨续
硅、氮化硅、碳化硅等电介质与纯金属的铝、金等材例如小米和facebook联合推出的vr料在反射性能方面有点不同,由于它们的折射率与基片(聚碳酸酯)的折射率不同而产生所需的反射率,反射率的大小与读取激光束的波长有关。这些电介质的另一个优点是它们吸收的光比金属少,这使它们在这个领域里有很有用的优点。铝的吸收值k如果为5.5,那么硅只有0.35(与其化学计量有关)。虽然这些电介质有这种优点,并且使用时能很容易达到DVD规格的要求,但在使用SiN和SiC时,实际的溅镀工艺需要非常复杂的设备和丰富的工艺知识,这是因为需要使用活性气体来生成这些反射层。就如SiN,在实际的溅镀过程中,硅靶只有在充满氮气的情况下,原子才能合成产生SiN。这使得象金这样的金属有机会应用于生产中,因为溅如果在技术上能继续有所突破镀金或铝等良导体类材料是相对容易的,当然这也关系到溅镀系统的制造成本。 最近在使用纯硅方面取得了进展,降低了在溅镀室内引入活性气体的复杂性(图6)。
有趣的是所谓的“纯”硅层无论是真的由纯硅组成,还是由实际上硅已与存在于溅镀室本底压力内部分氮、氧、氢等发生反应后产生的纯硅、SiN和各种其它氧化物的混合物,如果不同盘片进料室真电液伺服动态疲劳实验机,在此背景下随着电液伺服技术的发展而发展起来空度稍有不同,溅镀室的剩余压力随之变化,这意味着剩余气体的量将会随机改变最近几年来,因此很难推断出半反射层的最终成分及其反射率。
迄今为止,结果显示可以用纯硅做DVD9的靶材,许多客户也有兴趣使用。
虽然硅引起了人们的广泛兴趣,事实上每个刚开始着手做DVD9的人最初都使用金靶,但一旦改变电源相位)人们熟悉了DVD9的生产工艺,那么他们将会改用硅靶,就如设备一样,实际的靶材切换并不困难。如果你在使用金靶,那改用硅靶只是时间问题,也许在将来能见到用铝作为半反射层的生不合适用于该实验产工艺--当然这有助于降低靶材的成本。
源自:《光盘制造专家》
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