Qspeed推出超高效率600VH系列整流器

益登科技代理的Qspeed半导体今日宣布推出H系列组件，协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战，同时也提供Qspeed扩展其二极管性能领先优势的机会。以前一代产品作为基础，Qspeed新款600V功率因数校正器(PFC，Power Factor Corrector)不仅拥有更低的反向恢复电荷(QRR)，且具有目前市面上硅二极管最高的转换效率。

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Qspeed PFC二极管能协助设计人员满足各种严格的性能规范，不仅能提升系统性能、降低电磁干扰(EMI)，而且无需使用其他器件或缩小其他组件。此外，由于Qspeed可带来更低的操作温度、更少的组件以及减少电路板与散热片的需求，故适合用来提高电力密度、降低成本以及改善其可靠性。因此，Qspeed的产品不仅拥有领先市面上元器件的性能与成本，同时也协助提升业界价值。

Qspeed 600V H系列的3A至12A产品拥有更低的QRR温度系数，能在高温下将其转换损失降至最低。除此之外，还可提供更低的正向电压(VF，Forward Voltage)降低传导损耗。另外，该系列和所有Qspeed其他二极管一样，拥有变化幅度较为缓和的恢复波形，同时可降低其电磁辐射。此新款组件采用内部隔离的TO-220封装，集成热敏电阻，更能让此系列组件扩展至12安培。

Qspeed拥有较低的谐波发射(Harmonic Emission)，不仅能提升其系统的EMI等级，更可让系统使用较少的缓冲器。Qspeed优异的二极管转换效率，能改进电源的效率，还可减少其工作的发热量。一般情况下，在缩小PFC MOSFET和/或散热片的尺寸后，仍然可达到上述的优势。不过，更少的组件与更低的工作温度，不仅能创造出更高的电力密度设计，还可改善其系统的可靠性。因此，通过缩小尺寸或减少其组件的使用量，可降低物料清单成本。

Qspeed半导体总裁暨执行长Mike Heitzman表示：“目前Qspeed的电源客户在价格竞争的市场中，正面临高性能与电力密度的挑战。H系列组件拥有独特的性能组合，不仅能满足设计人员对高性能的要求，同时还能降低元器件成本，并缩短研发周期。”

如同之前的X系列与Q系列，新款的H系列也采用Qpeed专利的硅组件技术。Qspeed的高性能特色归功于在传统材料与工艺基础之上的革新，同时，这意味着客户可以从超过50年的工业硅晶圆工艺中受益，获得更低成本、更高可靠度。

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